Пошуковий запит: (<.>TJ=Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 19
Представлено документи з 1 до 19
|
| 1. |
Piskovoi V. N. (M, N)-exponential model in the theory of excitons. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 2. |
Snopok B. A. A biosensor approach to probe the structure and function of the adsorbed proteins: fibrinogen at the gold surface. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 3. |
Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 4. |
Daweritz L. Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 5. |
Torchinskaya T. V. Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 6. |
Alexeyev A. N. Optical vortices and the flow of their angular momentum in a multimode fiber. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 7. |
Svechnikov S. V. Photosensitive porous silicon based structures. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 8. |
Kashirina N. I. Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 9. |
Garsia-Garsia E. Crystallization kinetics of Ge22Sb22Te56 doped with Se and Ni. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 10. |
Vlasenko O. I. Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn,Zn)Te - Cd(Mn,Zn)HgTe and their photoelectrical properties. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 11. |
Oleksenko P. Ph. Electrophysical characteristics of LEDs based on GaN epitaxial films. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 12. |
Gorbach T. Ya. Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 13. |
Lysenko V. S. High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 14. |
Salkov E. A. Microscopic parameters of a stochastic system and variance of physical quantity (ideal gas, electric current, thermal radiation of a black body). — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 15. |
Blonskiy I. V. Multimodal size distribution of Si nanoclusters in SiO2 as manifestation of interaction in the space of sizes. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 16. |
Boutry-Forveille A. SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 17. |
Mazur Yu.I. Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg1-xMnxTe. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 18. |
Gribnikov Z. S. Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 19. |
Kochelap V. A. Switching-on and -off dynamics of MQW structures with bistable electro-optical absorption. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
